Interfacial epitaxy of multilayer rhombohedral transition-metal dichalcogenide single crystals · 文献汇报
Qin B et al. (2024), Science 385(6704) ado6038. 界面外延让金属与硫族原子从单晶 Ni 衬底与已生长层之间持续供给、新层自界面处向上顶出,实现晶圆级、层数从几层到约 15000 层连续可控的纯相 3R-TMD 单晶(覆盖七种材料体系及其合金),电子迁移率与近红外非线性光学响应双双超越 IRDS 基准。